通過(guò)仔細閱讀《中華人民共和國計量檢測規程-壓力變送器》以及其引用文獻。比較西森和honeywell，羅斯蒙特，橫河的產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)，并根據國外先進(jìn)技術(shù)的說(shuō)明書(shū)初步制定BST9900壓力變送器的檢測要求。

    下面，西森根據單晶硅電阻傳感器的工作原理和特點(diǎn)，為大家簡(jiǎn)單介紹單晶硅和擴散硅壓力傳感器的差別。

單晶硅壓力傳感器的原理

    單晶硅基于 MEMS（微 機電）技術(shù)的壓力傳感器，它是建立在微米/納米基礎上，在單晶硅片上刻融制作惠斯登電橋（Wheatstone bridge）組成的硅應變計，經(jīng)500℃以上高溫熔化玻璃，將硅應變片燒結在17－4PH不銹鋼傳感彈性體上，彈性體受壓變形后產(chǎn)生電信號，由帶微處理 器的數字補償放大電路進(jìn)行放大，經(jīng)數字軟件進(jìn)行全智能溫度補償，輸出標準信號。在標準凈化生產(chǎn)過(guò)程中，參數嚴格受控，避免了溫度、濕度及機械疲勞的影響， 具有頻響高、工作溫度寬等特點(diǎn)，保證了傳感器在工業(yè)惡劣環(huán)境中使用的長(cháng)期穩定性。

擴散硅壓力傳感器原理

    被測介質(zhì)的壓力直接作用于傳感器的膜片上（不銹鋼或陶瓷），使膜片產(chǎn)生與介質(zhì)壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻值發(fā)生變化，和用電子線(xiàn)路檢測這一變化，并轉換輸出一個(gè)對應于這一壓力的標準測量信號。